三星 Samsung 840 EVO于今年发布，用来取代840系列，除了更新主控和闪存，性能上最大的变化是提升低容量型号的写入速度。
采用了世界最小10纳米级128GB高速NAND芯片，与现有840固态硬盘系列产品相比连续写入性能最大可提高３倍。
840 EVO的主控制器从MDX升级成了第五代MEX，取代之前的第四代MDX，依然是三核心Cortex-R4架构，不过运行频率从300MHz提高到了400MHz，缓存从最大512MB提升至1GB。
容量120GB，做系统盘比较合适。持续读写速度分别提高到了540MB/s和410MB/s，随机读写速度也相应达到SATA固态硬盘的最高水准，分别为98,000IOPS（Inputs Outputs Per Second）和90,000IOPS。
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